国网辽宁电科院：gis局部过热红外诊断判据高效助力缺陷检出-凯发官网首页

根据试验结果，提出了外壳的红外成像最高温度与内部过热平均温度的拟合公式，即tm=16.17·(t-t0)0.5654 13.17                   （1）

式中，t为外壳红外成像最高测试温度，℃；t0为环境温度，℃。也就是说，通过计算外壳最高温度点的温差，即可估算出gis内部过热点的平均温度。同时证明了gis内部过热故障下不会产生特高频局部放电信号。

国网辽宁电科院和国网辽宁超高压公司在对某500kv变电站例行带电检测时，通过精确红外测温发现220kv gis局部温度异常，热点位于a相套管分支气室，温差为7.5k，环境温度-10℃，温差大于1k。

根据式（1），求得gis导体过热部位的平均温度为71℃，也就是说，过热点的最高温度有可能在几百摄氏度，设备需要停电处理。

图4 故障设备内部结构图及红外成像图谱

解体后发现过热部位导体对接面局部烧蚀、熏黑，测试接触电阻为447.8μω，严重超标。6颗螺栓校验按工艺标准校验力矩，其中5颗螺栓紧固情况不良。

图5 故障部位解体后的烧蚀图片

利用gis局部过热红外诊断判据及过热温度估算方法，成功诊断了一起潜伏性过热缺陷，此判据得到了实践检验，有效可靠，使gis内部触头过热红外诊断有据可依，具有广泛推广价值。