东芝公司为逆变器和储能系统开发了2200 v碳化硅(sic)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet),以帮助逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。
图片:toshiba
日本电子制造商东芝公司推出了一种基于碳化硅(sic)的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet),主要应用于太阳能逆变器和电池存储系统。
该公司表示,新的mosfet可能有助于逆变器制造商减小其产品的尺寸及重量。
该公司还提到:“高频运行可以减少其他系统组件的体积和重量,如散热器和过滤器等。”
新产品包含一个2200 v肖特基势垒二极管(sbd),主要应用于1500 v(直流电)两电平逆变器。据制造商介绍,两电平设备相比三电平逆变器,具有更少的开关模块,因此系统体积更小、质量更轻。
据报道,sic模块具有低传导损耗和低漏源电压的特点。它们导通和关断的开关损耗也较低,分别为14mj和11mj。据称,它们具备低漏感、低热阻特性并内置了热敏电阻。
东芝2200 v sic mosfet横截面示意图。图片来源:东芝集团
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